5秒后页面跳转
BZW04-11B PDF预览

BZW04-11B

更新时间: 2024-01-04 08:53:28
品牌 Logo 应用领域
NJSEMI 局域网IOT二极管
页数 文件大小 规格书
2页 179K
描述
400 Watts Transient Voltage Suppressor Diodes

BZW04-11B 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
零件包装代码:DO-15包装说明:PLASTIC PACKAGE-2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.22其他特性:LOW CAPACITANCE
最大击穿电压:14.3 V最小击穿电压:12.4 V
击穿电压标称值:13 V外壳连接:ISOLATED
最大钳位电压:18.2 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码:DO-15JESD-30 代码:O-PALF-W2
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
最大非重复峰值反向功率耗散:400 W元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
极性:BIDIRECTIONAL最大功率耗散:1 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:11 V
子类别:Transient Suppressors表面贴装:NO
技术:AVALANCHE端子面层:TIN
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

BZW04-11B 数据手册

 浏览型号BZW04-11B的Datasheet PDF文件第2页 

与BZW04-11B相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BZW04-11B(13V) ETC

获取价格

Transient Voltage Suppressor (TVS)
BZW04-11B/100 VISHAY

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 11.1V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
BZW04-11B/4E VISHAY

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 11.1V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
BZW04-11B/4F VISHAY

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 11.1V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
BZW04-11B/4G VISHAY

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 11.1V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
BZW04-11B/4H VISHAY

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 11.1V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
BZW04-11B/51 VISHAY

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 11.1V V(RWM), Bidirectional,
BZW04-11B/53 VISHAY

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 11.1V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
BZW04-11B/54 VISHAY

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 11.1V V(RWM), Bidirectional,
BZW04-11B/56 VISHAY

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 11.1V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-