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BZW04-11B

更新时间： 2024-02-19 20:19:50
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威世 - VISHAY 二极管IOT局域网
页数 文件大小 规格书
6页 106K
描述
TRANSZORB® Transient Voltage Suppressors

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BZW04-11B 技术参数

生命周期：Active包装说明：PLASTIC PACKAGE-2
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.74其他特性：FORMED LEAD OPTIONS ARE AVAILABLE
最大击穿电压：13.7 V最小击穿电压：12.4 V
击穿电压标称值：13 V外壳连接：ISOLATED
最大钳位电压：18.2 V配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：O-PALF-W2最大非重复峰值反向功率耗散：400 W
元件数量：1端子数量：2
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM极性：UNIDIRECTIONAL
认证状态：Not Qualified最大反向电流：5 µA
表面贴装：NO技术：AVALANCHE
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
Base Number Matches：1

BZW04-11B 数据手册

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BZW04P-5V8 thru BZW04-376  
Vishay General Semiconductor  
®
TRANSZORB Transient Voltage Suppressors  
FEATURES  
• Glass passivated chip junction  
• Availablein uni-directionaland bi-directional  
• 400 W peak pulse power capability with a  
10/1000 µs waveform, repetitive rate (duty  
cycle): 0.01 %  
• Excellent clamping capability  
• Very fast response time  
• Low incremental surge resistance  
• Solder dip 260 °C, 40 s  
DO-204AL (DO-41)  
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC  
and WEEE 2002/96/EC  
TYPICAL APPLICATIONS  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
Use in sensitive electronics protection against voltage  
transients induced by inductive load switching and  
lighting on ICs, MOSFET, signal lines of sensor  
units for consumer, computer, industrial and  
telecommunication.  
VWM  
5.8 V to 376 V  
PPPM  
400 W  
1.5 W  
40 A  
PD  
IFSM (uni-directional only)  
TJ max.  
175 °C  
MECHANICAL DATA  
Case: DO-204AL, molded epoxy over passivated chip  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability  
rating  
Base P/N-E3 - RoHS compliant, commercial grade  
Base P/NHE3 - RoHS compliant, high reliability/  
automotive grade (AEC Q101 qualified)  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD22-B102  
DEVICES FOR BI-DIRECTION APPLICATIONS  
For bi-directional types, use  
BZW04P-6V4B).  
B
suffix (e.g.  
Electrical characteristics apply in both directions.  
E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test, HE3  
suffix meets JESD 201 class 2 whisker test  
Note: BZW04-213(B) ~ BZW04-376(B) for commercial grade only  
Polarity: For uni-directional types the color band  
denotes cathode end, no marking on bi-directional  
types  
MAXIMUM RATINGS AND THERMAL CHARACTERISTICS (T = 25 °C unless otherwise noted)  
A
PARAMETER  
SYMBOL  
PPPM  
IPPM  
LIMIT  
UNIT  
Peak pulse power dissipation with a 10/1000 µs waveform (1) (Fig. 1)  
Peak pulse current with a 10/1000 µs waveform (1)  
400  
W
See next table  
1.5  
A
Power dissipation on infinite heatsink at TL = 75 °C (Fig. 5)  
Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave uni-directional only (2)  
Maximum instantaneous forward voltage at 25 A for uni-directional only (3)  
Operating junction and storage temperature range  
PD  
W
IFSM  
40  
A
VF  
3.5/5.0  
V
TJ, TSTG  
- 55 to + 175  
°C  
Notes:  
(1) Non-repetitive current pulse, per Fig. 3 and derated above TA = 25 °C per Fig. 2  
(2) Measured on 8.3 ms single half sine-wave or equivalent square wave, duty cycle = 4 pulses per minute maximum  
(3) VF = 3.5 V for BZW04P(-)188 and below; VF = 5.0 V for BZW04P(-)213 and above  
Document Number: 88316  
Revision: 22-Oct-08  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com  
www.vishay.com  
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与BZW04-11B相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BZW04-11B(13V) ETC

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 		Transient Voltage Suppressor (TVS)
BZW04-11B/100 VISHAY

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 11.1V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
BZW04-11B/4E VISHAY

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 11.1V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 11.1V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
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BZW04-11B/53 VISHAY

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BZW04-11B/54 VISHAY

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 11.1V V(RWM), Bidirectional,
BZW04-11B/56 VISHAY

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