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BZW03C150

更新时间： 2024-11-30 20:18:31

品牌	Logo	应用领域
TEMIC		局域网二极管
页数	文件大小	规格书
5页	69K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 1000W, Unidirectional, 1 Element, Silicon,

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BZW03C150 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.79	击穿电压标称值：	204 V
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	最大非重复峰值反向功率耗散：	1000 W
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	1.85 W
认证状态：	Not Qualified	最大反向电流：	10 µA
表面贴装：	NO	技术：	AVALANCHE
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
Base Number Matches：	1

BZW03C150 数据手册

BZW03C...

Silicon Z–Diodes and Transient Voltage Suppressors

Features

Glass passivated junction

Hermetically sealed package

Clamping time in picoseconds

Applications

Voltage regulators and transient suppression circuits

94 9588

Absolute Maximum Ratings

T = 25 C

Parameter

Test Conditions

Type

Symbol

Value

Unit

l=10mm, T =25 C

6.0

1.85

Power dissipation

=45 C

amb

Repetitive peak reverse power

dissipation

ZRM

Non repetitive peak surge power

dissipation

t =100 s, T =25 C

ZSM

1000

Junction temperature

175

Storage temperature range

stg

–65...+175

Maximum Thermal Resistance

T = 25 C

Parameter

Test Conditions

Symbol

Value

Unit

K/W

l=25mm, T =constant

thJA

Junction ambient

on PC board with spacing 37.5mm

thJA

Characteristics

T = 25 C

Parameter

Forward voltage

Test Conditions

I =1A

Type

Symbol

Min

Typ

Max

1.2

Unit

TELEFUNKEN Semiconductors

1 (5)

Rev. A1, 12-Dec-94

12 3 4 5

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