生命周期: | Obsolete | 包装说明: | O-LALF-W2 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.50 | 风险等级: | 5.8 |
最小击穿电压: | 124 V | 外壳连接: | ISOLATED |
最大钳位电压: | 185 V | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
JESD-30 代码: | O-LALF-W2 | 最大非重复峰值反向功率耗散: | 1000 W |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 175 °C | 最低工作温度: | -65 °C |
封装主体材料: | GLASS | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | LONG FORM | 极性: | UNIDIRECTIONAL |
最大功率耗散: | 1.75 W | 认证状态: | Not Qualified |
最大反向电流: | 10 µA | 表面贴装: | NO |
技术: | AVALANCHE | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | AXIAL | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BZW03-C130/41112 | NXP |
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DIODE 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor | |
BZW03-C130/41113 | NXP |
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DIODE 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor | |
BZW03-C130/41133 | NXP |
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暂无描述 | |
BZW03-C130/50112 | NXP |
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DIODE 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor | |
BZW03-C130/50113 | NXP |
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DIODE 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor | |
BZW03-C130/50133 | NXP |
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DIODE 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor | |
BZW03C130T/R | PHILIPS |
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Zener Diode, 130V V(Z), 5%, 6W, | |
BZW03C130-TAP | VISHAY |
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Zener Diode, 130V V(Z), 8.5%, 1.85W, | |
BZW03C130-TR | VISHAY |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 1000W, Unidirectional, 1 Element, Silicon, GLASS, SOD-64, | |
BZW03C13-TAP | VISHAY |
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Zener Diode, 13V V(Z), 8.5%, 1.85W, |