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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.84 |
| 最小击穿电压： | 10.4 V | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大钳位电压： | 15.7 V | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | 最大非重复峰值反向功率耗散： | 1000 W |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 极性： | UNIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 1.75 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大反向电流： | 30 µA | 表面贴装： | NO |
| 技术： | AVALANCHE | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BZW03-C11/21113 | NXP |
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DIODE 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor |
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| BZW03-C11/21133 | NXP |
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DIODE 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor |
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| BZW03-C11/22112 | NXP |
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DIODE 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor |
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| BZW03-C11/22113 | NXP |
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DIODE 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor |
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| BZW03-C11/22133 | NXP |
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DIODE 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor |
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| BZW03-C11/30112 | NXP |
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DIODE 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor |
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| BZW03-C11/30113 | NXP |
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DIODE 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor |
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| BZW03-C11/30133 | NXP |
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DIODE 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor |
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| BZW03-C11/31112 | NXP |
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DIODE 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor |
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| BZW03-C11/31113 | NXP |
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DIODE 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor |
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