5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.88 |
| 配置： | SINGLE | 二极管类型： | ZENER DIODE |
| 最大动态阻抗： | 125 Ω | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最大功率耗散： | 6 W | 标称参考电压： | 110 V |
| 子类别： | Voltage Reference Diodes | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 最大电压容差： | 5% |
| 工作测试电流： | 12 mA | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BZW03-C110/20112 | NXP |
获取价格 |
DIODE 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor |
|
| BZW03-C110/20113 | NXP |
获取价格 |
DIODE 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor |
|
| BZW03-C110/20133 | NXP |
获取价格 |
DIODE 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor |
|
| BZW03-C110/21112 | NXP |
获取价格 |
DIODE 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor |
|
| BZW03-C110/21113 | NXP |
获取价格 |
DIODE 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor |
|
| BZW03-C110/21133 | NXP |
获取价格 |
DIODE 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor |
|
| BZW03-C110/22112 | NXP |
获取价格 |
DIODE 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor |
|
| BZW03-C110/22113 | NXP |
获取价格 |
DIODE 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor |
|
| BZW03-C110/22133 | NXP |
获取价格 |
DIODE 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor |
|
| BZW03-C110/30112 | NXP |
获取价格 |
DIODE 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
