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BZV85-C39

更新时间: 2024-01-25 21:26:23
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恩智浦 - NXP 稳压二极管齐纳二极管测试
页数 文件大小 规格书
8页 57K
描述
Voltage regulator diodes

BZV85-C39 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred零件包装代码:DO-41
包装说明:ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2针数:2
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.27
Is Samacsys:N其他特性:CAPACITANCE IS CAPTURED FROM THE GRAPH
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:60 ΩJEDEC-95代码:DO-41
JESD-30 代码:O-LALF-W2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:200 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):260
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:1 W
认证状态:Not Qualified参考标准:CECC50005-010
标称参考电压:39 V最大反向电流:0.05 µA
子类别:Voltage Reference Diodes表面贴装:NO
技术:ZENER端子面层:Tin (Sn)
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30电压温度Coeff-Max:43 mV/ °C
最大电压容差:5%工作测试电流:6 mA
Base Number Matches:1

BZV85-C39 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
BZV85 series  
Voltage regulator diodes  
1999 May 11  
Product specification  
Supersedes data of 1996 Apr 26  

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