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BZV85C3V9

更新时间: 2024-09-09 20:17:03
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CDIL 测试二极管
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1页 103K
描述
Zener Diode, 3.9V V(Z), 5%, 1.3W, Silicon, Unidirectional, DO-41

BZV85C3V9 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Contact Manufacturer包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.31
Is Samacsys:N外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODE最大动态阻抗:15 Ω
JEDEC-95代码:DO-41JESD-30 代码:O-LALF-W2
膝阻抗最大值:600 Ω元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:200 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:1.3 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:3.9 V
子类别:Voltage Reference Diodes表面贴装:NO
技术:ZENER端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
电压温度Coeff-Max:最大电压容差:5%
工作测试电流:5 mABase Number Matches:1

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