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BZV85-C3V6

更新时间: 2024-01-25 23:58:05
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恩智浦 - NXP 稳压二极管测试
页数 文件大小 规格书
8页 57K
描述
Voltage regulator diodes

BZV85-C3V6 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred零件包装代码:DO-41
包装说明:ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2针数:2
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.29
其他特性:CAPACITANCE IS CAPTURED FROM THE GRAPH外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODE最大动态阻抗:15 Ω
JEDEC-95代码:DO-41JESD-30 代码:O-LALF-W2
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:200 °C封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):260极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:1 W认证状态:Not Qualified
参考标准:CECC50005-010标称参考电压:3.6 V
最大反向电流:50 µA子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:NO技术:ZENER
端子面层:Tin (Sn)端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
电压温度Coeff-Max:-1 mV/ °C最大电压容差:5%
工作测试电流:60 mABase Number Matches:1

BZV85-C3V6 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
BZV85 series  
Voltage regulator diodes  
1999 May 11  
Product specification  
Supersedes data of 1996 Apr 26  

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