BZV55C18BS

更新时间： 2024-02-19 23:49:52

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SILICON PLANAR ZENER DIODE

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BZV55C18BS 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-LELF-R2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.33
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
JESD-30 代码：	O-LELF-R2	膝阻抗最大值：	170 Ω
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	0.5 W	认证状态：	Not Qualified
标称参考电压：	18 V	最大反向电流：	0.1 µA
表面贴装：	YES	技术：	ZENER
端子形式：	WRAP AROUND	端子位置：	END
电压温度Coeff-Max：	19.8 mV/ °C	工作测试电流：	5 mA

BZV55C18BS 数据手册

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (@TA=25^OC unless otherwise specified)

V_ZT@I_ZT

( V )

I_R@T_A=25^OC

R_ZT@I_ZT

I_ZT

V_R

V_F@ 100mA

( V )

TYPE

( Ω )

MAX

( uA )

MAX

( mA )

( V )

MIN

MAX

BZV55C 30BS

BZV55C 30BSA

BZV55C 30BSB

BZV55C 30BSC

BZV55C 30BSD

BZV55C 33BS

BZV55C 33BSA

BZV55C 33BSB

BZV55C 33BSC

BZV55C 33BSD

BZV55C 36BS

BZV55C 36BSA

BZV55C 36BSB

BZV55C 36BSC

BZV55C 36BSD

26.99

27.70

28.36

29.02

29.68

30.32

30.90

31.49

32.14

32.79

33.40

34.01

30.51

28.39

29.13

29.82

30.51

33.11

31.22

31.88

32.50

33.11

35.77

33.79

34.49

35.13

35.77

1.0

5.0

0.2

NOTES: 1. Pulse Condition : 20mS < tp < 50mS, Duty Cycle < 2%.

2. "Fully RoHS Compliant", "100% Sn Plating (Pb-free)".

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