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BZV49-C10112

更新时间: 2024-02-07 00:27:52
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恩智浦 - NXP 测试二极管
页数 文件大小 规格书
6页 183K
描述
10V, 1W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE

BZV49-C10112 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Obsolete包装说明:R-PSSO-F3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.27
Is Samacsys:N外壳连接:CATHODE
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJESD-30 代码:R-PSSO-F3
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:1 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:10 V
最大反向电流:0.2 µA表面贴装:YES
技术:ZENER端子面层:TIN
端子形式:FLAT端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED电压温度Coeff-Max:8 mV/ °C
最大电压容差:5%工作测试电流:5 mA
Base Number Matches:1

BZV49-C10112 数据手册

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