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BZT55B30

更新时间： 2024-11-15 20:32:15

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6页	96K
描述
Zener Diode, 30V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, GLASS, SIMILAR TO DO-213AA, QUADROMELF-2

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BZT55B30 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	GLASS, SIMILAR TO DO-213AA, QUADROMELF-2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.73
其他特性：	LOW NOISE, VERY HIGH STABILITY	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	ZENER DIODE	JESD-30 代码：	O-LELF-R2
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	0.5 W	认证状态：	Not Qualified
标称参考电压：	30 V	表面贴装：	YES
技术：	ZENER	端子形式：	WRAP AROUND
端子位置：	END	最大电压容差：	2%
工作测试电流：	5 mA	Base Number Matches：	1

BZT55B30 数据手册

BZT55C...

Silicon Epitaxial Planar Z–Diodes

Features

Very sharp reverse characteristic

Low reverse current level

Very high stability

Low noise

Available with tighter tolerances

Applications

96 12009

Voltage stabilization

Absolute Maximum Ratings

T = 25 C

Parameter

Test Conditions

300K/W

Type

Symbol

Value

500

Unit

Power dissipation

Z–current

thJA

P /V

Junction temperature

Storage temperature range

175

stg

–65...+175

Maximum Thermal Resistance

T = 25 C

Parameter

Test Conditions

on PC board 50mmx50mmx1.6mm

Symbol

Value

500

Unit

K/W

Junction ambient

thJA

Characteristics

T = 25 C

Parameter

Forward voltage

Test Conditions

I =200mA

Type

Symbol

Min

Typ

Max

1.5

Unit

TELEFUNKEN Semiconductors

1 (6)

Rev. A2, 24-Jun-96

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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