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BZT52C8V2

更新时间： 2024-01-10 16:09:46

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描述
Planar Die Construction

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BZT52C8V2 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PDSO-G2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.09	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	ZENER DIODE	最大动态阻抗：	7 Ω
JESD-30 代码：	R-PDSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	0.41 W
认证状态：	Not Qualified	标称参考电压：	8.2 V
子类别：	Voltage Reference Diodes	表面贴装：	YES
技术：	ZENER	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	最大电压容差：	6.1%
工作测试电流：	5 mA	Base Number Matches：	1

BZT52C8V2 数据手册

RoHS

BZT52C2V4-43

SOD-123

BZT52C2V4-BZT52C43 ^{ZENER DIODE}

FEATURES：

Planar Die Construction

500mW Power Dissipation on Ceramic PCB

General Purpose, Medium Current

Ideally Suited for Automated Assembly Processes

Available in Lead Free Version

Maximum Ratings @Ta=25℃ unless otherwise specified

Characteristic

Forward Voltage (Note 2) @ I_F= 10mA

Power Dissipation(Note 1)

Symbol

V_F

Value

0.9

Unit

P_D

350

℃/W

Thermal Resistance, Junction to Ambient Air

R_θJA

357

Operating and Storage Temperature Range

T_j,T_STG

-65 to +150

℃

Notes: 1. Device mounted on ceramic PCB: 7.6mm x 9.4mm x 0.87mm with pad areas 25mm².

2. Short duration test pulse used to minimize self-heating effect.

3. f = 1KH_Z

WEJ ELECTRONIC CO.,LTD

Http:// www.wej.cn

E-mail:wej@yongerjia.com

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