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BZT52C68-HE3-08

更新时间： 2024-01-25 18:13:39

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威世 - VISHAY		测试光电二极管
页数	文件大小	规格书
8页	133K
描述
Zener Diode, 68V V(Z), 5.88%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2

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BZT52C68-HE3-08 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	R-PDSO-G2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
Factory Lead Time：	10 weeks	风险等级：	5.13
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
最大动态阻抗：	200 Ω	JESD-30 代码：	R-PDSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	0.5 W
参考标准：	AEC-Q101	标称参考电压：	68 V
子类别：	Voltage Reference Diodes	表面贴装：	YES
技术：	ZENER	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	最大电压容差：	5.88%
工作测试电流：	2.5 mA	Base Number Matches：	1

BZT52C68-HE3-08 数据手册

BZT52-Series

Vishay Semiconductors

www.vishay.com

_Z= r_zthx I_Z

T = 25 °C

3.9

5.6

2.7

6.8

3.3 4.7

8.2

l_Z

ΔV_Z

I_Z= 5 mA

Test

current

I_Z5 mA

_Z= 2.5 mA

100 V

10 V

18160

V_Zat I_Z= 5 mA

18111

Fig. 13 - Change of Zener Voltage from Turn-on up to the Point of

Thermal Equilibrium vs. Zener Voltage

Fig. 14 - Breakdown Characteristics

T = 25 °C

Test

current

5 mA

40 V

18112

Fig. 15 - Breakdown Characteristics

18157

Fig. 16 - Breakdown Characteristics

Rev. 1.9, 08-Nov-16

Document Number: 85760

For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

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