5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > BZT52C3V9-V-G
BZT52C3V9-V-G PDF预览

BZT52C3V9-V-G

更新时间： 2024-11-23 19:37:03
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 108K
描述
DIODE 3.9 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, GREEN PACKAGE-2, Voltage Regulator Diode

阅读下载

中文翻译

获取价格

BZT52C3V9-V-G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：R-PDSO-G2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.6配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：ZENER DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性：UNIDIRECTIONAL最大功率耗散：0.5 W
认证状态：Not Qualified标称参考电压：3.9 V
表面贴装：YES技术：ZENER
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
最大电压容差：5.13%工作测试电流：5 mA
Base Number Matches：1

BZT52C3V9-V-G 数据手册

 浏览型号BZT52C3V9-V-G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BZT52C3V9-V-G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BZT52C3V9-V-G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BZT52C3V9-V-G的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BZT52C3V9-V-G的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BZT52C3V9-V-G的Datasheet PDF文件第7页 
BZT52-V-G-Series  
Vishay Semiconductors  
Small Signal Zener Diodes  
Features  
• Silicon planar power zener diodes  
• These diodes are also available in other  
case styles and other configurations  
including: the SOT-23 case with type  
designation BZX84 series, the dual zener  
diode common anode configuration in the  
SOT-23 case with type designation AZ23  
series and the dual zener diode common  
cathode configuration in the SOT-23 case with  
type designation DZ23 series.  
17431  
• The zener voltages are graded according to the  
international E 24 standard.  
• AEC-Q101 qualified  
• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in  
accordance to WEEE 2002/96/EC  
Mechanical Data  
Case: SOD-123  
Weight: approx. 9.4 mg  
Packaging codes/options:  
18/10 k per 13 " reel (8 mm tape), 10 k/box  
08/3 k per 7 " reel (8 mm tape), 15 k/box  
Absolute Maximum Ratings  
T
= 25 °C, unless otherwise specified  
amb  
Parameter  
Test condition  
Symbol  
Value  
Unit  
Zener current see table  
" Characteristics "  
500 2)  
410 1)  
Ptot  
Ptot  
Power dissipation  
Power dissipation  
mW  
mW  
1) Diode on ceramic substrate 0.7 mm; 2.5 mm2 pad areas  
2) Diode on ceramic substrate 0.7 mm; 5 mm2 pad areas  
Thermal Characteristics  
T
= 25 °C, unless otherwise specified  
amb  
Parameter  
Test condition  
Symbol  
RthJA  
Value  
300 1)  
Unit  
Thermal resistance junction to  
ambient air  
°C/W  
TJ  
Junction temperature  
150  
°C  
°C  
TS  
Storage temperature range  
- 65 to + 150  
1) Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature  
** Please see document “Vishay Material Category Policy”: www.vishay.com/doc?99902  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
Document Number 83340  
Rev. 1.1, 26-Aug-10  
www.vishay.com  
1
12345678

中文翻译

下载PDF

与BZT52C3V9-V-G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BZT52C3V9-V-G08 VISHAY

获取价格

 		DIODE 3.9 V, 0.41 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, GREEN PACKAGE-2, Vol
BZT52C3V9-V-G18 VISHAY

获取价格

 		DIODE 3.9 V, 0.41 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, GREEN PACKAGE-2, Vol
BZT52C3V9V-T RECTRON

获取价格

 		Zener Diode,
BZT52C3V9W DAYA

获取价格

 		SILICON PLANAR ZENER DIODES
BZT52C3V9W HDSEMI

获取价格

 		SOD 123 Plastic-Encapsulate Diodes
BZT52C3V9W SWST

获取价格

 		稳压二极管
BZT52C3V9W YAGEO

获取价格

 		齐纳二极管
BZT52C3V9W-BL SWST

获取价格

 		稳压二极管
BZT52C3V9WS TAITRON

获取价格

 		200mW Two Terminals SMD Zener Diodes
BZT52C3V9WS SWST

获取价格

 		稳压二极管

与BZT52C3V9-V-G相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证