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BZT52C39S

更新时间: 2024-01-16 04:52:49
品牌 Logo 应用领域
TRSYS 晶体二极管齐纳二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 109K
描述
Plastic-Encapsulate Transistors

BZT52C39S 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-G2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.61配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-G2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.5 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:39 V
表面贴装:YES技术:ZENER
端子面层:MATTE TIN端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
最大电压容差:5.13%工作测试电流:5 mA
Base Number Matches:1

BZT52C39S 数据手册

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Transys  
Electronics  
L
I M I T E D  
SOD-323A Plastic-Encapsulate Transistors  
BZT52C2V0S-BZT52C39S ZENER DIODE  
FEATURES  
Power dissipation  
PD:  
200 mW (Tamb=25)  
Forward Voltage  
VF:  
0.9  
V
Operating and storage junction temperature range  
TJ, Tstg: -55to +150℃  
Maximum Ratings (Tamb=25unless otherwise specified)  

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