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BZT52C12S

更新时间： 2024-11-29 12:48:03

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ZENER DIODE

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BZT52C12S 数据手册

RoHS

BZT52C2V4S-39S

BZT52C2V4S-BZT52C39S ^{ZENER DIODE}

FEATURES：

Planar die construction

200mW power dissipation on ceramic PBC

General purpose, Medium current

Ideally suited for automated assembly processes

Available in Lead free version

Maximum Ratings @Ta=25℃ unless otherwise specified

Characteristic

Symbol

V_F

Value

0.9

Unit

Forward Voltage (Note 2) @ I_F= 10mA

Power Dissipation(Note 1)

P_D

200

℃/W

℃

Thermal Resistance, Junction to Ambient Air

Operating and Storage Temperature Range

R_θJA

625

T_j,T_STG

-65 to +150

Notes:1. Device mounted on ceramic PCB; 7.6mm x 9.4mm x 0.87mm with pad areas 25mm².

2. Short duration test pulse used to minimize self-heating effect.

3. f = 1kHz.

WEJ ELECTRONIC CO.,LTD

Http:// www.wej.cn

E-mail:wej@yongerjia.com

WEJ ELECTRONIC CO.,LTD

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