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BZT52B10-HE3-08

更新时间： 2024-11-18 16:44:39
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 116K
描述
Zener Diode, 10V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2

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BZT52B10-HE3-08 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：R-PDSO-G2
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
Factory Lead Time：10 weeks风险等级：5.09
Is Samacsys：N配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：ZENER DIODE
最大动态阻抗：15 ΩJESD-30 代码：R-PDSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性：UNIDIRECTIONAL最大功率耗散：0.5 W
参考标准：AEC-Q101标称参考电压：10 V
子类别：Voltage Reference Diodes表面贴装：YES
技术：ZENER端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10最大电压容差：2%
工作测试电流：5 mABase Number Matches：1

BZT52B10-HE3-08 数据手册

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BZT52-Series  
Vishay Semiconductors  
www.vishay.com  
Small Signal Zener Diodes  
FEATURES  
• Silicon planar Zener diodes  
• The Zener voltages are graded according to the  
international E24 standard  
• AEC-Q101 qualified  
• ESD capability according to AEC-Q101:  
Human body model > 8 kV  
Machine model > 800 V  
• Base P/N-E3 - RoHS-compliant, commercial grade  
• Base P/N-HE3 - RoHS-compliant, AEC-Q101 qualified  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
PARAMETER  
VZ range nom.  
Test current IZT  
VZ specification  
Int. construction  
VALUE  
2.4 to 75  
2.5; 5  
UNIT  
V
• Material categorization: For definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
mA  
Pulse current  
Single  
ORDERING INFORMATION  
DEVICE NAME  
ORDERING CODE  
TAPED UNITS PER REEL  
MINIMUM ORDER QUANTITY  
BZT52C2V4-E3-08 to BZT52C75-E3-08  
BZT52B2V4-E3-08 to BZT52B75-E3-08  
BZT52C2V4-HE3-08 to BZT52C75-HE3-08  
BZT52B2V4-HE3-08 to BZT52B75-HE3-08  
BZT52C2V4-E3-18 to BZT52C75-E3-18  
BZT52B2V4-E3-18 to BZT52B75-E3-18  
BZT52C2V4-HE3-18 to BZT52C75-HE3-18  
BZT52B2V4-HE3-18 to BZT52B75-HE3-18  
3000 (8 mm tape on 7" reel)  
15 000/box  
BZT52-series  
10 000 (8 mm tape on 13" reel)  
10 000/box  
PACKAGE  
MOLDING COMPOUND  
WEIGHT  
MOISTURE SENSITIVITY  
LEVEL  
PACKAGE NAME  
SOLDERING CONDITIONS  
FLAMMABILITY RATING  
MSL level 1  
(according J-STD-020)  
SOD-123  
10.3 mg  
UL 94 V-0  
260 °C/10 s at terminals  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tamb = 25 °C, unless otherwise specified)  
PARAMETER  
TEST CONDITION  
SYMBOL  
VALUE  
UNIT  
Diode on ceramic substrate 0.7 mm; 5 mm2  
pad areas  
Diode on ceramic substrate 0.7 mm; 2.5 mm2  
pad areas  
Ptot  
500  
mW  
Power dissipation  
Ptot  
410  
mW  
Zener current  
See table “Electrical Characteristics “  
Valid provided that electrodes are kept at  
ambient temperature  
Thermal resistance junction to ambient air  
RthJA  
300  
K/W  
Tj  
Junction temperature  
150  
°C  
°C  
°C  
Tstg  
Top  
Storage temperature range  
Operating temperature range  
- 65 to + 150  
- 55 to + 150  
Rev. 1.8, 26-Feb-13  
Document Number: 85760  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
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与BZT52B10-HE3-08相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BZT52B10-HE3-18 VISHAY

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 		Zener Diode, 10V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-
BZT52-B10J ETC

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 		DIODE ZENER 10V 590MW SOD123
BZT52B10JS MCC

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 		200 mW Zener Diode 3.0 to 75 Volts
BZT52B10JSHE3 MCC

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 		Tape&Reel: 3Kpcs/Reel;
BZT52B10JS-TP MCC

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 		Zener Diode,
BZT52B10L BL Galaxy Electrical

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 		Zener Diode
BZT52B10L BL Galaxy Electrical

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 		10V,100mW,Surface Mount Zener Diodes
BZT52B10L3P YANGJIE

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 		DFN1006-2L
BZT52B10LS MCC

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 		200 mW Zener Diode 2.4~75 Volts
BZT52B10Q YANGJIE

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 		Small Signal Zener Diodes

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