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BZT52-C75

更新时间: 2024-02-03 20:15:39
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安世 - NEXPERIA /
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13页 193K
描述
Single Zener diodes in a SOD123 packageProduction

BZT52-C75 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:R-PDSO-F2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.25Is Samacsys:N
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-F2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.2 W
标称参考电压:75 V表面贴装:YES
技术:ZENER端子形式:FLAT
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
最大电压容差:5%Base Number Matches:1

BZT52-C75 数据手册

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Nexperia  
BZT52 series  
Single Zener diodes in a SOD123 package  
Table 9. Characteristics per type; BZT52-C27 to BZT52-C51  
Tj = 25 °C unless otherwise specified.  
BZT52 Sel Working  
Maximum  
differential  
resistance  
Reverse  
current  
Temperature Diode  
Non-  
capacitance repetitive  
Cd (pF)[1]  
peak reverse  
-xxx  
voltage  
coefficient  
SZ (mV/K);  
IZ = 5 mA  
VZ (V);  
IR (μA)  
current  
IZSM (A)[2]  
rdif (Ω)  
IZ = 2 mA  
Min Max IZ = 1 mA IZ = 5 mA Max  
VR (V) Min  
Max Max  
25.3 50  
Max  
1.0  
1.0  
0.9  
0.8  
0.7  
0.6  
0.5  
0.4  
27  
30  
33  
36  
39  
43  
47  
51  
C
C
C
C
C
C
C
C
25.1 28.9 250  
28.0 32.0 250  
31.0 35.0 250  
34.0 38.0 250  
37.0 41.0 300  
40.0 46.0 325  
44.0 50.0 325  
48.0 54.0 350  
40  
40  
40  
60  
75  
80  
90  
100  
0.05  
0.05  
0.05  
0.05  
0.05  
0.05  
0.05  
0.05  
18.9  
21  
21.4  
24.4  
27.4  
30.4  
33.4  
37.6  
42.0  
46.6  
29.4 50  
33.4 45  
37.4 45  
41.2 45  
46.6 40  
51.8 40  
57.2 40  
23.1  
25.2  
27.3  
30.1  
32.9  
35.7  
[1] f = 1 MHz; VR = 0 V.  
[2] tp = 100 μs; Tamb = 25 °C.  
Table 10. Characteristics per type; BZT52-C56 to BZT52-C75  
Tj = 25 °C unless otherwise specified.  
BZT52 Sel Working  
Maximum  
differential  
resistance  
Reverse  
current  
Temperature Diode  
Non-  
-xxx  
voltage  
coefficient  
SZ (mV/K);  
IZ = 5 mA  
capacitance repetitive  
Cd (pF)[1]  
peak reverse  
current  
IZSM (A)[2]  
VZ (V);  
IR (μA)  
rdif (Ω)  
IZ = 2 mA  
Min Max IZ = 0.5  
mA  
IZ = 2 mA Max  
VR (V) Min  
Max Max  
Max  
56  
62  
68  
75  
C
C
C
C
52.0 60.0 375  
58.0 66.0 400  
64.0 72.0 400  
70.0 79.0 400  
120  
140  
160  
175  
0.05  
0.05  
0.05  
0.05  
39.2  
43.4  
47.6  
52.5  
52.2  
58.8  
65.6  
73.4  
63.8 40  
0.3  
71.6 35  
79.8 35  
88.6 35  
0.3  
0.25  
0.20  
[1] f = 1 MHz; VR = 0 V.  
[2] tp = 100 μs; Tamb = 25 °C.  
BZT52_SER  
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Product data sheet  
Rev. 1 — 16 March 2017  
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