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BZT03D9V1

更新时间: 2024-02-28 20:59:45
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威世 - VISHAY 瞬态抑制器二极管测试
页数 文件大小 规格书
5页 70K
描述
Silicon Z-Diodes and Transient Voltage Suppressors

BZT03D9V1 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.89
配置:SINGLE二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:4 ΩJESD-609代码:e0
元件数量:1最高工作温度:175 °C
最大功率耗散:1.3 W标称参考电压:9.1 V
子类别:Voltage Reference Diodes表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)最大电压容差:10%

BZT03D9V1 数据手册

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BZT03D...  
Vishay Telefunken  
Type  
Clamping at  
Stand–off at  
1)  
2)  
V
I
I
R
V
(CL)R  
RSM  
R
BZT03D...  
V
A
A
V
Max.  
9.5  
Max.  
3000  
6V2  
6V8  
7V5  
8V2  
9V1  
10  
11  
12  
13  
15  
16  
18  
20  
22  
24  
27  
30  
33  
34.0  
31.0  
26.5  
24.4  
22.7  
20.3  
19.1  
17.7  
15.9  
14.4  
13.1  
11.7  
10.6  
9.7  
8.9  
7.9  
7.1  
6.5  
6.0  
5.5  
4.8  
5.3  
5.9  
6.5  
7.1  
7.9  
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9.3  
10.6  
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12.6  
14.4  
15.8  
17.2  
19.4  
21.5  
23.5  
25.8  
28  
10.5  
11.6  
12.6  
13.7  
15.2  
16.2  
17.5  
19.1  
21.8  
23.4  
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29.2  
31.9  
34.6  
39  
2000  
1500  
1200  
50  
20  
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
43.5  
47.5  
51.5  
56  
36  
39  
5
31  
43  
47  
51  
62  
67.5  
73  
4.9  
4.6  
4.2  
5
5
5
33.5  
36.5  
40  
56  
62  
81  
89  
3.8  
3.5  
5
5
44.5  
49  
68  
97  
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5
54  
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91  
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143  
157  
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2.6  
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0.8  
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
59  
65  
71  
79  
86  
93  
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116  
126  
144  
158  
172  
194  
215  
100  
110  
120  
130  
150  
160  
180  
200  
220  
240  
270  
1)  
10/1000 exp. falling pulse t = 1000 ms down to 50%  
p
Document Number 85600  
Rev. 2, 01-Apr-99  
www.vishay.de FaxBack +1-408-970-5600  
3 (5)  

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