BZT03D200-TR

更新时间： 2024-02-03 10:27:36

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威世 - VISHAY		瞬态抑制器二极管齐纳二极管局域网
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5页	263K
描述
Zener Diode, 200V V(Z), 10%, 1.3W,

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BZT03D200-TR 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.65
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
二极管类型：	ZENER DIODE	最大动态阻抗：	500 Ω
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
最高工作温度：	175 °C	最大功率耗散：	1.3 W
标称参考电压：	200 V	子类别：	Voltage Reference Diodes
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
最大电压容差：	10%	Base Number Matches：	1

BZT03D200-TR 数据手册

BZT03..Series

Vishay Semiconductors

VISHAY

Silicon Zener-Diodes with Surge Current Specification

Features

• Glass passivated junction

• Hermetically sealed package

• Clamping time in picoseconds

Applications

Medium power voltage regulators and medium power

transient suppression circuits

Mechanical Data

Case:SOD57

949539

Weight: 370 mg (max.500 mg)

Packaging Codes/Options:

TAP / 5 K Ammopack (52 mm tape) / 25 K/box

TR / 5 K 10" reel

Absolute Maximum Ratings

= 25 °C, unless otherwise specified

Parameter

amb

Test condition

Symbol

Value

3.25

Unit

Power dissipation

l = 10 mm, T = 25 °C

= 25 °C

1.3

amb

Repetitive peak reverse power

dissipation

ZRM

Non repetitive peak surge power t = 100 s, T = 25 °C

600

ZSM

dissipation

Junction temperature

175

°C

Storage temperature range

- 65 to + 175

stg

Thermal Characteristics

= 25 °C, unless otherwise specified

amb

Parameter

Junction ambient

Test condition

Symbol

Value

Unit

l = 10 mm, T = constant

K/W

thJA

on PC board with spacing 25 mm

100

Electrical Characteristics

= 25 °C, unless otherwise specified

amb

Parameter

Test condition

Symbol

Min

Typ.

Max

1.2

Unit

Forward voltage

I = 0.5 A

Document Number 85599

Rev. 4, 10-Sep-03

www.vishay.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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