BZT03-C62

更新时间： 2024-01-05 22:06:36

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恩智浦 - NXP		稳压二极管测试
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描述
Voltage regulator diodes

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BZT03-C62 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	E-LALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.79	最小击穿电压：	58 V
外壳连接：	ISOLATED	最大钳位电压：	86.5 V
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JESD-30 代码：	E-LALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散：	300 W	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ELLIPTICAL
封装形式：	LONG FORM	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	1.3 W	认证状态：	Not Qualified
最大反向电流：	5 µA	表面贴装：	NO
技术：	ZENER	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

BZT03-C62 数据手册

Philips Semiconductors

Product speciﬁcation

Voltage regulator diodes

BZT03 series

DIFFERENTIAL TEMPERATURE

TEST

REVERSE CURRENT

WORKING VOLTAGE

V_Z(V) at I_Z

TYPE

No.

RESISTANCE

COEFFICIENT CURRENT at REVERSE VOLTAGE

SUFFIX

r_dif(Ω) at I_Z

S_Z(%/K) at I_Z

I_R(µA)

(1)

I_Z(mA)

V_R(V)

MIN.

NOM.

100

110

120

130

150

160

180

200

220

240

270

MAX.

106

116

127

141

156

171

191

212

233

256

289

TYP.

MAX.

200

250

300

350

400

500

750

850

1000

MIN.

0.09

MAX.

0.13

MAX.

C100

C110

C120

C130

C150

C160

C180

C200

C220

C240

C270

104

114

124

138

153

168

188

208

228

251

110

130

150

180

200

350

400

450

100

110

120

130

150

160

180

200

Note

1. To complete the type number the suffix is added to the basic type number, e.g. BZT03-C100.

1996 Jun 11

1 2 345 6 7...9

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BZT03-C62/A52R	ETC	ZENER DIODE 3.0W 62V	获取价格
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BZT03-C62AMO	NXP	DIODE 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Transie	获取价格
BZT03C62T/R	PHILIPS	Zener Diode, 62V V(Z), 5%, 3.25W,	获取价格
BZT03-C62T/R	NXP	DIODE 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Transie	获取价格
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