BZM55B12TR

更新时间： 2024-02-03 06:57:03

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威世 - VISHAY		二极管齐纳二极管
页数	文件大小	规格书
6页	84K
描述
Zener Diode, 12V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, HERMETIC SEALED, MICROMELF-2

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BZM55B12TR 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.63
配置：	SINGLE	二极管类型：	ZENER DIODE
最大动态阻抗：	20 Ω	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	最高工作温度：	175 °C
最大功率耗散：	0.5 W	标称参考电压：	12 V
子类别：	Voltage Reference Diodes	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	最大电压容差：	2%
工作测试电流：	5 mA	Base Number Matches：	1

BZM55B12TR 数据手册

BZM55B...

Vishay Telefunken

Silicon Epitaxial Planar Z–Diodes

Features

Saving space

Hermetic sealed parts

Fits onto SOD 323 / SOT 23 footprints

Electrical data identical with the devices

BZT55B... / TZMB...

Very sharp reverse characteristic

Low reverse current level

Very high stability

96 12315

Low noise

Available with tighter tolerances

V –tolerance ± 2%

Applications

Voltage stabilization

Absolute Maximum Ratings

T = 25 C

Parameter

Power dissipation

Z–current

Junction temperature

Storage temperature range

Test Conditions

300K/W

Type

Symbol

Value

500

Unit

thJA

P /V

175

–65...+175

stg

Maximum Thermal Resistance

T = 25 C

Parameter

Test Conditions

Symbol Value

Unit

K/W

Junction ambient mounted on epoxy–glass hard tissue, Fig. 1

Junction tie point 35 m copper clad, 0.9 mm copper area per electrode

thJA

500

300

thJL

Electrical Characteristics

T = 25 C

Parameter

Forward voltage

Test Conditions

I =200mA

Type

Symbol Min

Typ Max Unit

1.5

Document Number 85597

Rev. 3, 01-Apr-99

www.vishay.de • FaxBack +1-408-970-5600

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