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BZG04-30-M3-18

更新时间： 2024-11-27 22:46:59

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威世 - VISHAY		光电二极管
页数	文件大小	规格书
5页	89K
描述
DIODE ZENER 30V 50A DO214AC

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BZG04-30-M3-18 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDSO-C2	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.77	其他特性：	EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, HIGH RELIABILITY
最小击穿电压：	34 V	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码：	DO-214AC	JESD-30 代码：	R-PDSO-C2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值反向功率耗散：	300 W	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	1.25 W
最大重复峰值反向电压：	30 V	表面贴装：	YES
技术：	ZENER	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	C BEND	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	Base Number Matches：	1

BZG04-30-M3-18 数据手册

BZG04-M-Series

Vishay Semiconductors

www.vishay.com

Zener Diodes with Surge Current Specification

FEATURES

• High reliability

• Stand-off voltage range 8.2 V to 220 V

• Excellent clamping capability

• Fast response time

• AEC-Q101 qualified available

• Base P/N-M3 - halogen-free, RoHS-compliant, and

commercial grade

SMA (DO-214AC)

• Base P/NHM3 - halogen-free, RoHS-compliant, and

AEC-Q101 qualified

PRIMARY CHARACTERISTICS

• Material categorization: for definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

PARAMETER

VALUE

UNIT

V_Zrange nom.

Test current I_ZT

V_BR

10 to 270

2 to 50

APPLICATIONS

9.4 to 251

8.2 to 220

300

• Protection from high voltage, high energy transients

V_WM



P_PPM

°C

T_Jmax.

150

V_Zspecification

Circuit configuration

Polarity

Pulse current

Single

Uni-directional

ORDERING INFORMATION

DEVICE NAME

ORDERING CODE

TAPED UNITS PER REEL MINIMUM ORDER QUANTITY

BZG04-M-series

BZG04xxx-M3-08

BZG04xxx-M3-18

BZG04xxx-HM3-08

BZG04xxx-HM3-18

1500 per 7" reel

6000 per 13" reel

1500 per 7" reel

6000 per 13" reel

6000/box

PACKAGE

MOLDING COMPOUND

FLAMMABILITY RATING

MOISTURE SENSITIVITY

LEVEL

PACKAGE NAME

WEIGHT

SOLDERING CONDITIONS

MSL level 1

(according J-STD-020)

SMA (DO-214AC)

73 mg

UL 94 V-0

260 °C/10 s at terminals

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_amb= 25 °C, unless otherwise specified)

PARAMETER

TEST CONDITION

SYMBOL

VALUE

UNIT

R_thJA< 25 K/W, T_amb= 100 °C

P_tot

3000

1250

Power dissipation

R_thJA< 100 K/W, T_amb= 50 °C

t_p= 10/1000 μs exp. pulse,

T_j= 25 °C prior to surge

Non repetitive peak surge power dissipation

P_ZSM

300

Peak forward surge current

Junction to lead

10 ms single half sine wave

I_FSM

R_thJL

R_thJA

T_j

K/W

°C

Mounted on epoxy-glass hard tissue, fig. 1a

Mounted on epoxy-glass hard tissue, fig. 1b

Mounted on Al-oxide-ceramic (Al₂O₃), fig. 1b

150

Junction to ambient air

125

100

Junction temperature

150

Storage temperature range

Forward voltage (max.)

T_stg

-65 to +150

1.2

°C

I_F= 0.5 A

V_F

Rev. 1.0, 13-Oct-17

Document Number: 86139

For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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BZG0430TR	TEMIC	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 300W, Unidirectional, 1 Element, Silicon,
BZG04-30TR	VISHAY	获取价格	DIODE 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC, LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-2, T
BZG0430TR3	TEMIC	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 300W, Unidirectional, 1 Element, Silicon,
BZG04-30-TR3	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 30V V(RWM), Unidirectional,
BZG0433	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 300W, Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214, PLASTIC,
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BZG04-33	VISHAY	获取价格	Zener Diodes with Surge Current Specification
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