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Datasheet > 二极管 > 瞬态抑制器> BZG04-180/TR
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BZG04-180/TR

更新时间： 2024-11-20 12:58:47
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 瞬态抑制器二极管齐纳二极管
页数 文件大小 规格书
6页 184K
描述
DIODE 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC, ROHS COMPLIANT PACKAGE-2, Transient Suppressor

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BZG04-180/TR 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DO-214AC
包装说明：R-PDSO-C2针数：2
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.78
其他特性：HIGH RELIABILITY最小击穿电压：208 V
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJEDEC-95代码：DO-214AC
JESD-30 代码：R-PDSO-C2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值反向功率耗散：300 W
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性：UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：1.25 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：180 V表面贴装：YES
技术：ZENER端子面层：MATTE TIN
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40Base Number Matches：1

BZG04-180/TR 数据手册

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BZG04-Series  
Vishay Semiconductors  
Zener Diodes with Surge Current Specification  
Features  
• Glass passivated junction  
• High reliability  
e3  
• Stand-off Voltage range 8.2 V to 220 V  
• Excellent clamping cabability  
• Fast response time (typ. ≤ 1 ps from 0 to V  
• Lead (Pb)-free component  
)
Zmin  
15811  
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC  
and WEEE 2002/96/EC  
Applications  
Protection from high voltage, high energy transients  
Mechanical Data  
Case: DO-214AC  
Weight: approx. 77 mg  
Packaging Codes/Options:  
TR / 1.5 k 7 " reel  
TR3 / 6 k 13 " reel 6 k/box  
Absolute Maximum Ratings  
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified  
Parameter  
Power dissipation  
Test condition  
Symbol  
Pdiss  
Value  
3
Unit  
W
RthJA < 25 K/W, Tamb = 100 °C  
R
thJA < 100 K/W, Tamb = 50 °C  
Pdiss  
1.25  
300  
W
W
Non repetitive peak surge power tp = 10/1000 µs sq.pulse,  
PZSM  
dissipation  
Tj = 25 °C prior to surge  
Peak forward surge current  
Junction temperature  
10 ms single half sine wave  
IFSM  
Tj  
50  
150  
A
°C  
°C  
Storage temperature range  
Tstg  
- 65 to + 150  
Thermal Characteristics  
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified  
Parameter  
Test condition  
Symbol  
RthJL  
Value  
25  
Unit  
Junction lead  
K/W  
K/W  
Junction ambient  
mounted on epoxy-glass hard  
tissue, Fig. 1a  
RthJA  
RthJA  
RthJA  
150  
125  
100  
mounted on epoxy-glass hard  
tissue, Fig. 1b  
K/W  
K/W  
mounted on Al-oxid-ceramic  
(Al2O3), Fig. 1b  
Electrical Characteristics  
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified  
Parameter  
Test condition  
IF = 0.5 A  
Symbol  
VF  
Min  
Typ.  
Max  
1.2  
Unit  
V
Forward voltage  
Document Number 85594  
Rev. 2.2, 15-Sep-05  
www.vishay.com  
1
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BZG04-180/TR3 VISHAY

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 		DIODE 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC, ROHS COMPLIANT PACKAGE-2, Trans
BZG04-180115 NXP

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 		DIODE 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC, Transient Suppressor
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 		DIODE ZENER 180V 50A DO214AC
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BZG04-180-M VISHAY

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BZG04180TR TEMIC

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 300W, 180V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon,
BZG04180TR VISHAY

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 		300W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214, PLASTIC, DO-214, 2 PIN

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