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BZG03C200-TR

更新时间： 2024-02-12 11:00:46

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		二极管
页数	文件大小	规格书
5页	55K
描述
Zener Diode, 200V V(Z), 6%, 3W,

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BZG03C200-TR 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.63
配置：	SINGLE	二极管类型：	ZENER DIODE
最大动态阻抗：	500 Ω	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	最高工作温度：	175 °C
最大功率耗散：	3 W	标称参考电压：	200 V
子类别：	Voltage Reference Diodes	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	最大电压容差：	6%
Base Number Matches：	1

BZG03C200-TR 数据手册

BZG03C...

Vishay Telefunken

Silicon Z–Diodes

Features

Glass passivated junction

High reliability

Voltage range 10V to 270V

Fits onto 5 mm SMD footpads

Wave and reflow solderable

15 811

Applications

Voltage stabilization

Order Instruction

Type

Ordering Code

BZG03C10–TR

BZG03C10–TR3

Remarks

Tape and Reel (1.500 pcs)

Tape and Reel (6.000 pcs)

BZG03C10

Absolute Maximum Ratings

T = 25 C

Parameter

Power dissipation

Non repetitive peak surge

power dissipation

Test Conditions

Type Symbol

Value

1.25

600

Unit

<25K/W, T =100 C

thJA

amb

<100K/W, T =50 C

thJA

amb

t =100 s sq.pulse,

T =25 C prior to surge

ZSM

Junction temperature

Storage temperature range

stg

175

–65...+150

Maximum Thermal Resistance

T = 25 C

Parameter

Junction lead

Test Conditions

Symbol

Value

150

125

100

Unit

K/W

thJL

thJA

mounted on epoxy–glass hard tissue, Fig. 1a

mounted on epoxy–glass hard tissue, Fig. 1b

Junction ambient

mounted on Al–oxid–ceramic (Al O ), Fig. 1b

Electrical Characteristics

T = 25 C

Parameter

Forward voltage

Test Conditions

I =0.5A

Type

Symbol Min

Typ Max Unit

1.2

Document Number 85593

Rev. 6, 09-Mar-01

www.vishay.com

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