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BZD27C100P-M3-18

更新时间： 2024-01-03 13:29:11

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威世 - VISHAY		测试二极管
页数	文件大小	规格书
7页	110K
描述
Zener Diode, 100V V(Z), 5%, 2.3W,

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BZD27C100P-M3-18 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.14
配置：	SINGLE	二极管类型：	ZENER DIODE
最大动态阻抗：	200 Ω	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
最高工作温度：	150 °C	峰值回流温度（摄氏度）：	260
最大功率耗散：	2.3 W	标称参考电压：	100 V
子类别：	Voltage Reference Diodes	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
最大电压容差：	5%	工作测试电流：	5 mA
Base Number Matches：	1

BZD27C100P-M3-18 数据手册

BZD27-M Series

Vishay Semiconductors

www.vishay.com

TYPICAL CHARACTERISTICS (T_amb= 25 °C, unless otherwise specified)

I_RSM

(%)

t₁= 10 µs

Max. V_F

t₂= 1000 µs

100

Typ. V_F

0.1

t₁

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

t₂

17415

17411

V_F- Forward Voltage (V)

Fig. 1 - Forward Current vs. Forward Voltage

Fig. 4 - Non-Repetitive Peak Reverse Current Pulse Definition

10 000

C5V1P

C18P

C6V8P

C12P

1000

100

C27P

C51P

C200P

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

17412

V_R- Reverse Voltage (V)

Fig. 2 - Typ. Diode Capacitance vs. Reverse Voltage

3.0

R_thJL= 30K/W

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

_thJA= 180K/W

25 50 75 100 125 150 175

22774

T_amb- Ambient Temperature (°C)

Fig. 3 - Power Dissipation vs. Ambient Temperature

Rev. 1.6.,18-Mar-15

Document Number: 85155

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