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BZD27-C15

更新时间： 2024-11-21 20:19:19

品牌	Logo	应用领域
EIC		二极管
页数	文件大小	规格书
4页	113K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 150W, 15V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MINIMELF-2

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BZD27-C15 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	MELF
包装说明：	O-PELF-R2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.78
最小击穿电压：	13.8 V	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JESD-30 代码：	O-PELF-R2
最大非重复峰值反向功率耗散：	150 W	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-65 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	0.8 W	最大重复峰值反向电压：	15 V
表面贴装：	YES	技术：	ZENER
端子形式：	WRAP AROUND	端子位置：	END
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

BZD27-C15 数据手册

Certificate TH97/10561QM

Certificate TW00/17276EM

VOLTAGE REGULATOR DIODES

BZD27 Series

MELF (Plastic)

FEATURES :

* High maximum operating temperature

Cathode Mark

* Low leakage current

φ 0.102 (2.6)

0.094 (2.4)

* Excellent stability

* Zener working voltage range: 3.6 to 270 V for 46 types

* Transient suppressor stand-off voltage range:

6.2 to 430 V for 45 types

0.022(0.55)

0.205(5.2)

0.189(4.8)

* Pb / RoHS Free

MECHANICAL DATA :

* Case : Molded plastic

Dimensions in inches and ( millimeters )

* Terminals : Plated Terminals, solderable per

MIL-STD-750 Method 2026

* Polarity : Color band denotes cathode end

* Mounting position : Any

* Weight : 0.116 gram

MAXIMUM RATINGS

Parameter

Total Power dissipation

Symbol

Condition

Min.

Max.

Unit

Ttp = 105 °C; see Fog. 1 and 2

P_tot

1.7

2.3

BZD27-C3V6 to BZD27-C6V8

BZD27-C7V5 to BZD27-C510

Total Power dissipation

PCB mounted

P_tot

0.8

BZD27-C3V6 to BZD27-C6V8

BZD27-C7V5 to BZD27-C510

Non-repetitive peak reverse

power dissipation

Tamb = 60 °C, see Fig. 1

Tamb = 55 °C, see Fig. 2

tp = 100 µs; square pulse;

Tj = 25°C prior to surge; see Fig. 5

10/1000 µs exponential pulse (see Fig. 5)

Tj = 25°C prior to surge

P_ZSM

300

Non-repetitive peak reverse power

dissipation (BZD27-C7V5 to -C510)

Forward voltage

P_RSM

V_F

150

1.2

I_F= 0.2 A; Tj = 25 °C; see Fig. 3

Junction and Storage Temperature Range

BZD27-C3V6 to BZD27-C6V8

BZD27-C7V5 to BZD27-C510

T_J, T_STG

°C

-65

+200

+175

THERMAL CHARACTERISTICS

Symbol

Parameter

Condition

Value

Unit

Thermal resistance from junction to tie-point

BZD27-C3V6 to BZD27-C6V8

R_{th j-tp}

K/W

BZD27-C7V5 to BZD27-C510

Thermal resistance from junction to ambient

BZD27-C3V6 to BZD27-C6V8

R_{th j-a}

K/W

Note 1

175

150

BZD27-C7V5 to BZD27-C510

Note : (1) Device mounted on an epoxy-glass printed-circuit board, 1.5 mm thick; thickness of Cu-layer ≥ 40 µm on an must space.

Page 1 of 4

Rev. 01 : November 7, 2006

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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