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BZD23-C82AMO

更新时间: 2024-09-24 18:03:03
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 局域网测试二极管电视
页数 文件大小 规格书
5页 113K
描述
DIODE 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor

BZD23-C82AMO 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.8最大击穿电压:87 V
最小击穿电压:77 V击穿电压标称值:82 V
外壳连接:ISOLATED最大钳位电压:114 V
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE最大动态阻抗:100 Ω
JESD-30 代码:O-LALF-W2最大非重复峰值反向功率耗散:300 W
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:2.5 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:82 V
最大反向电流:5 µA子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:NO技术:AVALANCHE
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
最大电压容差:5%工作测试电流:10 mA
Base Number Matches:1

BZD23-C82AMO 数据手册

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