BZD23-C9V1AMO

更新时间： 2024-09-24 13:06:03

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恩智浦 - NXP		稳压二极管测试
页数	文件大小	规格书
9页	44K
描述
DIODE 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor

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BZD23-C9V1AMO 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.8	Is Samacsys：	N
最大击穿电压：	9.6 V	最小击穿电压：	8.5 V
击穿电压标称值：	9.1 V	外壳连接：	ISOLATED
最大钳位电压：	13.3 V	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
最大动态阻抗：	4 Ω	JESD-30 代码：	O-LALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散：	300 W	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	2.5 W	认证状态：	Not Qualified
标称参考电压：	9.1 V	最大反向电流：	100 µA
子类别：	Voltage Reference Diodes	表面贴装：	NO
技术：	AVALANCHE	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	最大电压容差：	5%
工作测试电流：	50 mA	Base Number Matches：	1

DISCRETE SEMICONDUCTORS

DATA SHEET

ok, halfpage

M3D119

BZD23 series

Voltage regulator diodes

1996 Jun 10

Product speciﬁcation

Supersedes data of October 1991

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