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BY722AMO

更新时间: 2024-11-21 12:58:47
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 整流二极管高压
页数 文件大小 规格书
12页 65K
描述
DIODE 0.003 A, 22000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Signal Diode

BY722AMO 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:E-LALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:5.76外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:E-LALF-W2
元件数量:1端子数量:2
最大输出电流:0.003 A封装主体材料:GLASS
封装形状:ELLIPTICAL封装形式:LONG FORM
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:22000 V
最大反向恢复时间:0.075 µs表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

BY722AMO 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
h
BY715 to BY724  
Very fast high-voltage soft-recovery  
rectifiers  
Product specification  
2001 Sep 24  

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