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BXY18A2

更新时间: 2024-11-24 21:14:31
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英飞凌 - INFINEON 二极管
页数 文件大小 规格书
1页 34K
描述
Step Recovery Diode, S Band to C Band, Silicon,

BXY18A2 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.38其他特性:CHARGE STORAGE VARACTOR
最小击穿电压:25 V配置:SINGLE
最大二极管电容:1.3 pF最小二极管电容:0.7 pF
标称二极管电容:1 pF二极管元件材料:SILICON
二极管类型:STEP RECOVERY DIODE频带:S BAND TO C BAND
JESD-30 代码:O-CEMW-N2元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:ROUND封装形式:MICROWAVE
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:35 V
子类别:Varactors表面贴装:YES
端子形式:NO LEAD端子位置:END
Base Number Matches:1

BXY18A2 数据手册

  

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