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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP-8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.33.00.01 | Factory Lead Time： | 1 week |
| 风险等级： | 7.63 | Is Samacsys： | N |
| 放大器类型： | BUFFER | 最大平均偏置电流 (IIB)： | 20 µA |
| 标称带宽 (3dB)： | 180 MHz | 25C 时的最大偏置电流 (IIB)： | 20 µA |
| 最大输入失调电压： | 100000 µV | JESD-30 代码： | R-PDIP-T8 |
| JESD-609代码： | e4 | 长度： | 9.81 mm |
| 负供电电压上限： | -18 V | 标称负供电电压 (Vsup)： | -15 V |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP8,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 包装方法： | TUBE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | +-15 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 5.08 mm |
| 标称压摆率： | 2000 V/us | 子类别： | Buffer Amplifier |
| 最大压摆率： | 20 mA | 供电电压上限： | 18 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 15 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | BIPOLAR | 温度等级： | AUTOMOTIVE |
| 端子面层： | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 7.62 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUF634T | BB |
获取价格 |
250mA HIGH-SPEED BUFFER |
|
| BUF634TG3 | BB |
获取价格 |
250mA HIGH-SPEED BUFFER |
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| BUF634U | BB |
获取价格 |
250mA HIGH-SPEED BUFFER |
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| BUF634U/2K5 | BB |
获取价格 |
250mA HIGH-SPEED BUFFER |
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| BUF634U/2K5E4 | BB |
获取价格 |
250mA HIGH-SPEED BUFFER |
|
| BUF634U-2K5 | BB |
获取价格 |
250mA HIGH-SPEED BUFFER |
|
| BUF634U-2K5E4 | BB |
获取价格 |
250mA HIGH-SPEED BUFFER |
|
| BUF634UE4 | BB |
获取价格 |
250mA HIGH-SPEED BUFFER |
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| BUF634U-TR | BB |
获取价格 |
Buffer Amplifier, 1 Func, PDSO8, |
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| BUF636A | TEMIC |
获取价格 |
Silicon NPN High Voltage Switching Transistor |
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