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BU932RPFI

更新时间: 2024-11-16 21:09:07
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
1页 39K
描述
15A, 450V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218

BU932RPFI 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:not_compliant风险等级:5.84
Is Samacsys:N外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):15 A集电极-发射极最大电压:450 V
配置:DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小直流电流增益 (hFE):300
JEDEC-95代码:TO-218JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:60 W
最大功率耗散 (Abs):60 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICONVCEsat-Max:1.8 V
Base Number Matches:1

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