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BU931

更新时间: 2024-09-27 22:27:59
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 驱动器高压
页数 文件大小 规格书
7页 76K
描述
HIGH VOLTAGE IGNITION COIL DRIVER NPN POWER DARLINGTON

BU931 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-220AB
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:4
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.64
其他特性:BUILT-IN BIAS RESISTORS外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):10 A集电极-发射极最大电压:400 V
配置:DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小直流电流增益 (hFE):300
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:125 W
最大功率耗散 (Abs):175 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
VCEsat-Max:1.8 VBase Number Matches:1

BU931 数据手册

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BU931  
BU931P  
HIGH VOLTAGE IGNITION COIL DRIVER  
NPN POWER DARLINGTON  
VERY RUGGED BIPOLAR TECHNOLOGY  
HIGH OPERATING JUNCTION  
TEMPERATURE  
WIDE RANGE OF PACKAGES  
APPLICATIONS  
HIGH RUGGEDNESS ELECTRONIC  
IGNITIONS  
1
3
2
2
1
TO-3  
TO-218  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
for TO-3  
Emitter: pin 2  
Base: pin1  
Collector: tab  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
BU931  
BU931P  
VCES  
VCEO  
VEBO  
IC  
Collector-Emitter Voltage (VBE = 0)  
Collector-Emitter Voltage (IB = 0)  
Emitter-Base Voltage (IC = 0)  
Collector Current  
500  
400  
5
V
V
V
15  
30  
1
A
ICM  
IB  
Collector Peak Current  
Base Current  
A
A
IBM  
Ptot  
Tstg  
Tj  
Base Peak Current  
5
A
o
Total Dissipation at Tc = 25 C  
175  
-65 to 200  
200  
135  
-65 to 175  
175  
W
oC  
oC  
Storage Temperature  
Max. Operating Junction Temperature  
1/7  
September 1999  

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