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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
高压高电压电源 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 5页 | 276K |  |
| 描述 | ||
| HIGH VOLTAGE POWER DISSIPATION | ||
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SFM | 包装说明： | TO-220, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.81 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 16 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 350 V | 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 300 | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 40 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| VCEsat-Max： | 1.6 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| BU921PFI | ISC | Silicon NPN Darlington Power Transistor |
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| BU921PFI | STMICROELECTRONICS | HIGH VOLTAGE POWER DISSIPATION |
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| BU921T | STMICROELECTRONICS | HIGH VOLTAGE POWER DISSIPATION |
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| BU921T | ISC | Silicon NPN Darlington Power Transistor |
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| BU921TFI | STMICROELECTRONICS | BU921TFI |
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| BU921ZP | STMICROELECTRONICS | NPN POWER DARLINGTON |
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