BU921T

更新时间： 2024-02-10 08:20:07

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	224K
描述
Silicon NPN Darlington Power Transistor

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BU921T 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SFM	包装说明：	TO-220, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.81	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	16 A
集电极-发射极最大电压：	350 V	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	300	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	40 W	最大功率耗散 (Abs)：	40 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
VCEsat-Max：	1.6 V	Base Number Matches：	1

BU921T 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

BU921T

DESCRIPTION

·High Voltage

·DARLINGTON

APPLICATIONS

·Designed for automotive ignition applications and inverter

circuits for motor control.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_a=25℃)

SYMBOL

V_CES

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Emitter Voltage V_BE= 0

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

VALUE

450

400

UNIT

I_CM

Collector Current-peak

Base Current

I_B

Collector Power Dissipation

@T_C=25℃

P_C

105

150

-65~150

℃

T_j

Junction Temperature

T_stg

Storage Temperature Range

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance, Junction to Case

1.2

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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