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BU922PFI

更新时间: 2024-01-04 07:32:46
品牌 Logo 应用领域
无锡固电 - ISC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 227K
描述
Silicon NPN Darlington Power Transistor

BU922PFI 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-3-3L包装说明:TO-220, 3 PIN
针数:3Reach Compliance Code:not_compliant
风险等级:5.83外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):10 A集电极-发射极最大电压:450 V
配置:DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTORJEDEC-95代码:TO-3
JESD-30 代码:O-MBFM-P2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:120 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:PIN/PEG
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICONVCEsat-Max:1.8 V

BU922PFI 数据手册

 浏览型号BU922PFI的Datasheet PDF文件第2页 
INCHANGE Semiconductor  
isc Product Specification  
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor  
BU922PFI  
DESCRIPTION  
·High Voltage  
·DARLINGTON  
APPLICATIONS  
·Designed for automotive ignition applications and inverter  
circuits for motor control.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25)  
SYMBOL  
VCES  
VCEO  
VEBO  
IC  
PARAMETER  
Collector-Emitter Voltage VBE= 0  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Crrent  
VALUE  
500  
450  
5
UNIT  
V
V
V
10  
A
ICM  
Collector Current-peak  
Base Current  
15  
A
IB  
5
A
Collector Power Dissipation  
@TC=25  
PC  
55  
W
Tj  
Junction Temperature  
150  
-65~150  
Tstg  
Storage Temperature Range  
THERMAL CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
PARAMETER  
MAX UNIT  
Thermal Resistance, Junction to Case  
2.27 /W  
Rth j-c  
isc Websitewww.iscsemi.cn  

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