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BU921HP

更新时间: 2024-01-12 04:21:37
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其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 69K
描述
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 400V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-218

BU921HP 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SFM包装说明:TO-220, 3 PIN
针数:3Reach Compliance Code:not_compliant
风险等级:5.81Is Samacsys:N
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):16 A
集电极-发射极最大电压:350 V配置:DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):300JEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:40 W最大功率耗散 (Abs):40 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管元件材料:SILICON
VCEsat-Max:1.6 VBase Number Matches:1

BU921HP 数据手册

  

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