是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SFM | 包装说明: | TO-220, 3 PIN |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
风险等级: | 5.81 | Is Samacsys: | N |
外壳连接: | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC): | 16 A |
集电极-发射极最大电压: | 350 V | 配置: | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
最小直流电流增益 (hFE): | 300 | JEDEC-95代码: | TO-220AB |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | NPN |
功耗环境最大值: | 40 W | 最大功率耗散 (Abs): | 40 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料: | SILICON |
VCEsat-Max: | 1.6 V | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
BU921P | STMICROELECTRONICS | HIGH VOLTAGE POWER DISSIPATION |
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BU921P | ISC | Silicon NPN Darlington Power Transistor |
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BU921PFI | ISC | Silicon NPN Darlington Power Transistor |
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BU921PFI | STMICROELECTRONICS | HIGH VOLTAGE POWER DISSIPATION |
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BU921T | STMICROELECTRONICS | HIGH VOLTAGE POWER DISSIPATION |
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BU921T | ISC | Silicon NPN Darlington Power Transistor |
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