5秒后页面跳转
BU408D PDF预览

BU408D

更新时间: 2024-09-25 22:48:35
品牌 Logo 应用领域
统懋 - MOSPEC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 110K
描述
POWER TRANSISTORS(7A,150-200V,60W)

BU408D 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.82
最大集电极电流 (IC):7 A配置:Single
最小直流电流增益 (hFE):5最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):60 W
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
标称过渡频率 (fT):10 MHz

BU408D 数据手册

 浏览型号BU408D的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BU408D的Datasheet PDF文件第3页 
A

与BU408D相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BU408DLEADFREE CENTRAL

获取价格

Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
BU408J69Z FAIRCHILD

获取价格

Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
BU408LEADFREE CENTRAL

获取价格

暂无描述
BU408PBFREE CENTRAL

获取价格

暂无描述
BU408TIN/LEAD CENTRAL

获取价格

Power Bipolar Transistor,
BU4093 ROHM

获取价格

Quad 2-input NAND Schmitt trigger
BU4093B ROHM

获取价格

Quad 2-input NAND Schmitt trigger
BU4093B/BF/BFV ROHM

获取价格

Standard LSIs
BU4093B-E2 ROHM

获取价格

High Voltage CMOS Logic ICs
BU4093BF ROHM

获取价格

Quad 2-input NAND Schmitt trigger