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BTS6163DAUMA1

更新时间： 2024-01-22 16:05:49
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 驱动接口集成电路驱动器
页数 文件大小 规格书
18页 278K
描述
Buffer/Inverter Based Peripheral Driver, 1 Driver, 5.5A, PSSO4, GREEN, PLASTIC, TO-252, DPAK-5

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BTS6163DAUMA1 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-252
包装说明：GREEN, PLASTIC, TO-252, DPAK-5针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01Factory Lead Time：18 weeks
风险等级：0.66Is Samacsys：N
内置保护：TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL; UNDER VOLTAGE驱动器位数：1
接口集成电路类型：BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVERJESD-30 代码：R-PSSO-G4
JESD-609代码：e3长度：6.5 mm
湿度敏感等级：3功能数量：1
端子数量：4输出电流流向：SINK
标称输出峰值电流：5.5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TO-252封装等效代码：SMSIP5H,.37,50TB
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5.5/24 V
认证状态：Not Qualified筛选级别：AEC-Q100
座面最大高度：2.5 mm子类别：Peripheral Drivers
最大供电电压：62 V最小供电电压：5.5 V
标称供电电压：24 V表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子节距：1.14 mm端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED断开时间：550 µs
接通时间：300 µs宽度：6.22 mm
Base Number Matches：1

BTS6163DAUMA1 数据手册

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®
PROFET BTS 6163 D  
Parameter and Conditions  
Symbol  
Values  
Unit  
at T= 25, V = 24 V unless otherwise specified  
j
bb  
min.  
typ.  
max.  
Operating Parameters  
Operating voltage (VIN=0)  
Undervoltage shutdown 7) 8)  
T=-40...150 °C: Vbb(on)  
5.5  
--  
2.5  
4
62  
3.5  
5.5  
V
V
V
j
VbIN(u)  
--  
--  
Undervoltage restart of charge pump  
Vbb(ucp)  
Overvoltage protection 9)  
VZ,IN  
68  
73  
--  
V
Ibb=15 mA  
Standby current  
IIN=0  
Tj=-40...+120°C: Ibb(off)  
Tj=150°C:  
--  
--  
3
6
6
14  
µA  
Reverse Battery  
Reverse battery voltage 10)  
-Vbb  
--  
--  
16  
V
On-state resistance (pin 1,5 to pin 3)  
Vbb= - 8V, VIN= 0, IL = -7.5 A, RIS = 1 kΩ, 8)  
RON(rev)  
--  
--  
19  
35  
25  
44  
T=25 °C:  
T=150 °C:  
j
mΩ  
j
Vbb= -12..-24V, VIN= 0, IL = -7.5 A, RIS = 1 kΩ,  
--  
--  
18  
33  
23  
40  
T=25 °C:  
j
T=150 °C:  
j
Integrated resistor in Vbb line  
Rbb  
--  
100  
150  
Ω
Inverse Operation 11)  
Output voltage drop (pin 1,5 to pin 3) 8)  
-VON(inv)  
--  
--  
700  
300  
-- mV  
--  
IL = -7.5 A, RIS = 1 kΩ,  
IL = -7.5 A, RIS = 1 kΩ,  
T=25 °C:  
T=150 °C:  
j
j
Turn-on delay after inverse operation; IL > 0A 8)  
VIN(inv) = VIN(fwd) = 0 V  
td(inv)  
--  
1
--  
ms  
7)  
VbIN=Vbb-VIN see diagram page 14.  
8)  
Not subject to production test, specified by design.  
9)  
See also V  
in circuit diagram page 9.  
ON(CL)  
10)  
11)  
For operation at voltages higher then |16V| please see required schematic on page 10.  
Permanent Inverse operation results eventually in a current flow via the intrinsic diode of the power DMOS.  
In this case the device switches on with a time delay td(inv) after the transition from inverse to forward mode.  
)
Data Sheet  
4 of 18  
Rev. 1.0, 2007-07-23  
1234567...18

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