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BTA201-800E,112

更新时间： 2024-09-24 19:50:43
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恩智浦 - NXP 栅三端双向交流开关栅极
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11页 164K
描述
BTA201-800E

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BTA201-800E,112 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：TO-92包装说明：PLASTIC, SC-43A, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.17
其他特性：SENSITIVE GATE配置：SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率：200 V/us最大直流栅极触发电流：10 mA
最大直流栅极触发电压：1.5 V最大维持电流：12 mA
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e3最大漏电流：0.5 mA
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：125 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：1 A断态重复峰值电压：800 V
子类别：TRIACs表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
触发设备类型：4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIACBase Number Matches：1

BTA201-800E,112 数据手册

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BTA201-800E  
3Q Hi-Com Triac  
15 October 2012  
Product data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
Planar passivated high commutation three quadrant triac in a SOT54 (TO-92) plastic  
package. This "series E" triac balances the requirements of commutation performance  
and gate sensitivity and is intended for interfacing with low power drivers and logic ICs  
including microcontrollers.  
1.2 Features and benefits  
3Q technology for improved noise immunity  
Direct triggering from low power drivers and logic ICs  
High commutation capability with sensitive gate  
High immunity to false turn-on by dV/dt  
High voltage capability  
Planar passivated for voltage ruggedness and reliability  
Sensitive gate for easy logic level triggering  
Triggering in three quadrants only  
•
•
•
•
•
•
•
•
1.3 Applications  
General purpose motor control  
Small loads in washing machines  
Solenoid drivers  
•
•
•
1.4 Quick reference data  
Table 1.  
Symbol  
Quick reference data  
Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
VDRM  
repetitive peak off-  
state voltage  
-
-
800  
V
ITSM  
non-repetitive peak on- full sine wave; Tj(init) = 25 °C;  
-
-
-
-
12.5  
1
A
A
state current  
tp = 20 ms; Fig. 4; Fig. 5  
IT(RMS)  
RMS on-state current  
full sine wave; Tlead ≤ 54 °C; Fig. 1;  
Fig. 2; Fig. 3  
Static characteristics  
IGT gate trigger current  
VD = 12 V; IT = 0.1 A; T2+ G+;  
Tj = 25 °C; Fig. 7  
1
-
10  
mA  
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BTA201-800E,112 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BTA201-800ER,126 NXP

完全替代

 BTA201-800ER
BTA201-800ER,116 NXP

完全替代

 BTA201-800ER
BTA201-800E NXP

完全替代

 1 A Three-quadrant triacs high commutation

与BTA201-800E,112相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BTA201-800E,116 NXP

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 		BTA201-800E
BTA201-800E/L01 WEEN

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 		Planar passivated high commutation three quadrant triac in a SOT54 (TO-92) plastic package
BTA201-800E_L01 WEEN

获取价格

 		3Q Hi-Com Triac
BTA201-800ER NXP

获取价格

 		1 A Three-quadrant triacs high commutation
BTA201-800ER WEEN

获取价格

 		Planar passivated high commutation three quadrant triac in a SOT54 (TO-92) plastic package
BTA201-800ER,116 NXP

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 		BTA201-800ER
BTA201-800ER,126 NXP

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 		BTA201-800ER
BTA201-800ERAMO NXP

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 		TRIAC,800V V(DRM),1A I(T)RMS,TO-92
BTA201W NXP

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 		1 A Three-quadrant triacs high commutation
BTA201W_08 NXP

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