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Datasheet > 触发装置 > TRIAC> BT138-600E/DGQ
BT138-600E/DGQ PDF预览

BT138-600E/DGQ

更新时间： 2024-02-28 08:47:18
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恩智浦 - NXP 可控硅三端双向交流开关局域网
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6页 52K
描述
BT138-600E

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BT138-600E/DGQ 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220AB
包装说明：PLASTIC PACKAGE-3针数：3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.15Is Samacsys：N
外壳连接：MAIN TERMINAL 2配置：SINGLE
换向电压的临界上升率-最小值：10 V/us关态电压最小值的临界上升速率：200 V/us
最大直流栅极触发电流：50 mA最大直流栅极触发电压：1.5 V
最大维持电流：60 mAJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
最大漏电流：0.5 mA元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：125 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：12 A
重复峰值关态漏电流最大值：500 µA断态重复峰值电压：600 V
子类别：TRIACs表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
触发设备类型：4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIACBase Number Matches：1

BT138-600E/DGQ 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
Triacs  
BT138 series  
THERMAL RESISTANCES  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN. TYP. MAX. UNIT  
Rth j-mb  
Thermal resistance  
full cycle  
-
-
-
-
-
60  
1.5  
2.0  
-
K/W  
K/W  
K/W  
junction to mounting base half cycle  
Rth j-a  
Thermal resistance  
junction to ambient  
in free air  
STATIC CHARACTERISTICS  
Tj = 25 ˚C unless otherwise stated  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN. TYP.  
MAX.  
...F  
UNIT  
BT138-  
VD = 12 V; IT = 0.1 A  
...  
...G  
IGT  
Gate trigger current  
Latching current  
Holding current  
T2+ G+  
-
-
-
-
5
8
10  
22  
35  
35  
35  
70  
25  
25  
25  
70  
50  
50  
mA  
mA  
mA  
mA  
T2+ G-  
T2- G-  
50  
T2- G+  
100  
IL  
VD = 12 V; IGT = 0.1 A  
T2+ G+  
-
-
-
-
-
7
20  
8
10  
6
40  
60  
40  
60  
30  
40  
60  
40  
60  
30  
60  
90  
60  
90  
60  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
T2+ G-  
T2- G-  
T2- G+  
IH  
VD = 12 V; IGT = 0.1 A  
VT  
On-state voltage  
IT = 15 A  
-
-
1.4  
0.7  
0.4  
1.65  
1.5  
-
V
V
V
VGT  
Gate trigger voltage  
VD = 12 V; IT = 0.1 A  
VD = 400 V; IT = 0.1 A;  
Tj = 125 ˚C  
0.25  
ID  
Off-state leakage current VD = VDRM(max)  
;
-
0.1  
0.5  
mA  
Tj = 125 ˚C  
DYNAMIC CHARACTERISTICS  
Tj = 25 ˚C unless otherwise stated  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
TYP. MAX. UNIT  
BT138-  
VDM = 67% VDRM(max)  
...  
...F  
...G  
dVD/dt  
dVcom/dt  
tgt  
Critical rate of rise of  
off-state voltage  
;
100  
50  
200  
250  
20  
2
-
-
-
V/µs  
V/µs  
µs  
Tj = 125 ˚C; exponential  
waveform; gate open  
circuit  
Critical rate of change of  
commutating voltage  
VDM = 400 V; Tj = 95 ˚C;  
IT(RMS) = 12 A;  
-
-
-
-
10  
-
dIcom/dt = 5.4 A/ms; gate  
open circuit  
Gate controlled turn-on  
time  
ITM = 16 A; VD = VDRM(max);  
IG = 0.1 A; dIG/dt = 5 A/µs  
September 1997  
2
Rev 1.200  
123456

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与BT138-600E/DGQ相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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