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BT137-600G

更新时间: 2024-01-23 21:25:24
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恩智浦 - NXP 可控硅
页数 文件大小 规格书
6页 51K
描述
Triacs

BT137-600G 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code:not_compliant
HTS代码:8541.30.00.80风险等级:5.57
外壳连接:MAIN TERMINAL 2配置:SINGLE
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:125 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大均方根通态电流:8 A
参考标准:IEC-60134断态重复峰值电压:600 V
表面贴装:NO端子面层:Tin (Sn)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED触发设备类型:4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC
Base Number Matches:1

BT137-600G 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
Triacs  
BT137 series  
IGT(Tj)  
IGT(25 C)  
typ  
IT / A  
25  
20  
15  
10  
5
Tj = 125 C  
Tj = 25 C  
3
T2+ G+  
T2+ G-  
T2- G-  
T2- G+  
max  
2.5  
2
Vo = 1.264 V  
Rs = 0.0378 Ohms  
1.5  
1
0.5  
0
0
0
0.5  
1
1.5  
VT / V  
2
2.5  
3
-50  
0
50  
100  
150  
Tj / C  
Fig.7. Normalised gate trigger current  
IGT(Tj)/ IGT(25˚C), versus junction temperature Tj.  
Fig.10. Typical and maximum on-state characteristic.  
IL(Tj)  
IL(25 C)  
Zth j-mb (K/W)  
10  
1
3
2.5  
2
unidirectional  
bidirectional  
1.5  
1
t
P
D
0.1  
0.01  
p
t
0.5  
0
10us  
0.1ms  
1ms  
10ms  
tp / s  
0.1s  
1s  
10s  
-50  
0
50  
Tj / C  
100  
150  
Fig.8. Normalised latching current IL(Tj)/ IL(25˚C),  
versus junction temperature Tj.  
Fig.11. Transient thermal impedance Zth j-mb, versus  
pulse width tp.  
dV/dt (V/us)  
1000  
IH(Tj)  
IH(25C)  
3
2.5  
2
off-state dV/dt limit  
BT137...G SERIES  
BT137 SERIES  
100  
BT137...F SERIES  
1.5  
1
dIcom/dt =  
10 A/ms  
7.9  
6.1 4.7 3.6 2.8  
10  
0.5  
0
1
-50  
0
50  
Tj / C  
100  
150  
0
50  
100  
150  
Tj / C  
Fig.9. Normalised holding current IH(Tj)/ IH(25˚C),  
versus junction temperature Tj.  
Fig.12. Typical commutation dV/dt versus junction  
temperature, parameter commutation dIT/dt. The triac  
should commutate when the dV/dt is below the value  
on the appropriate curve for pre-commutation dIT/dt.  
October 1997  
4
Rev 1.200  

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