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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.67 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 0.2 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 300 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 | JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 1 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 15 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BST16-T | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1000 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sig |
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| BST16T/R | NXP |
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TRANSISTOR 0.2 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, MPT3, SMD, UPAK-3, BIP Genera |
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| BST16TA | ZETEX |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| BST16TA | DIODES |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| BST16-TAPE-13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1000 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sig |
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| BST16-TAPE-7 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1000 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sig |
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| BST16TC | DIODES |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| BST16TRL | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1000 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sig |
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| BST16TRL13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1000 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sig |
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| BST1-BST4 | EXAR |
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Quad Channel Digital PWM/PFM Programmable Power Management System |
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三大厂商12层HBM3E进展迅速
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