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BSS100

更新时间： 2024-11-22 22:27:55
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 285K
描述
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

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BSS100 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.08配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.25 A
最大漏极电流 (ID)：0.22 A最大漏源导通电阻：10 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：6 pF
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.83 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BSS100 数据手册

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September 1996  
BSS100 / BSS123  
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  
General Description  
Features  
BSS100: 0.22A, 100V. RDS(ON) = 6W @ VGS = 10V.  
These N-Channel logic level enhancement mode power  
field effect transistors are produced using Fairchild's  
proprietary, high cell density, DMOS technology. This  
very high density process has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance. This product is particularly suited to low  
voltage, low current applications, such as small servo  
motor controls, power MOSFET gate drivers, and other  
switching applications.  
BSS123: 0.17A, 100V. RDS(ON) = 6W @ VGS = 10V  
High density cell design for extremely low RDS(ON)  
Voltage controlled small signal switch.  
Rugged and reliable.  
.
_______________________________________________________________________________  
D
G
BSS100  
BSS123  
S
Absolute Maximum Ratings  
TA = 25°C unless otherwise noted  
BSS100  
Symbol  
Parameter  
BSS123  
Units  
V
VDSS  
Drain-Source Voltage  
100  
100  
VDGR  
V
Drain-Gate Voltage (RGS < 20KW)  
VGSS  
Gate-Source Voltage - Continuous  
± 14  
± 20  
V
- Non Repetitive (TP < 50 mS)  
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
ID  
0.22  
0.9  
0.17  
0.68  
0.36  
A
PD  
Total Power Dissipation @ TA = 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.63  
W
°C  
°C  
TJ,TSTG  
TL  
-55 to 150  
300  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Purposes, 1/16" from Case for 10 Seconds  
THERMAL CHARACTERISTICS  
RqJA  
Thermal Resistacne, Junction-to-Ambient  
200  
350  
°C/W  
© 1997 Fairchild Semiconductor Corporation  
BSS100 Rev. F1 / BSS123 Rev. F1  
1234567...10

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BSS100 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BSS100E6288 INFINEON

功能相似

 Small Signal Field-Effect Transistor, 0.22A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
BSS101E6288 INFINEON

功能相似

 Small Signal Field-Effect Transistor, 0.13A I(D), 240V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

与BSS100相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		Board Connector, 200 Contact(s), 2 Row(s), Female, Right Angle, 0.025 inch Pitch, Surface
BSS-100-01-F-D-DP-EM3 SAMTEC

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 		Board Connector, 200 Contact(s), 2 Row(s), Female, Right Angle, 0.025 inch Pitch, Surface
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