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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> BSR58LT1
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BSR58LT1

更新时间： 2024-09-25 03:22:55
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体断路器晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 92K
描述
JFET Chopper Transistor N−Channel − Depletion

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BSR58LT1 技术参数

是否无铅： 含铅生命周期：End Of Life
零件包装代码：SOT-23包装说明：CASE 318-08, TO-236, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.2
配置：SINGLE最大漏源导通电阻：60 Ω
FET 技术：JUNCTION最大反馈电容 (Crss)：5 pF
JEDEC-95代码：TO-236ABJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：DEPLETION MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：240
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.35 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：CHOPPER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BSR58LT1 数据手册

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BSR58LT1  
JFET Chopper Transistor  
N−Channel − Depletion  
Features  
• Pb−Free Package is Available  
http://onsemi.com  
MAXIMUM RATINGS  
2 SOURCE  
Rating  
Drain−Gate Voltage  
Symbol  
Value  
−40  
−35  
50  
Unit  
Vdc  
V
DG  
GS  
Gate−Source Voltage  
Gate Current  
V
Vdc  
3
GATE  
I
G
mAdc  
Total Device Dissipation  
P
D
1 DRAIN  
@ T = 25°C  
350  
2.8  
mW  
mW/°  
C
A
Derate above 25°C  
Lead Temperature  
T
300  
°C  
°C  
L
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
−65 to +150  
J
stg  
3
SOT−23  
CASE 318  
STYLE 10  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are  
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and  
reliability may be affected.  
1
2
MARKING DIAGRAM  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Gate−Source Breakdown Voltage  
(I = −1.0 mAdc)  
G
V
40  
−
−
Vdc  
(BR)GSS  
M6M G  
G
Gate Reverse Current  
I
−ꢀ1.0 nAdc  
GSS  
(V = −15 Vdc)  
GS  
Gate Source Cutoff Voltage  
V
GS(off)  
−0.8 −4.0  
Vdc  
(V = 5.0 Vdc, I = 1.0 mAdc)  
DS  
D
M6  
M
G
= Device Code  
= Date Code*  
= Pb−Free Package  
Drain−Cutoff Current  
(V = 5.0 Vdc, V = −10 Vdc)  
I
−
1.0  
80  
nAdc  
D(off)  
DS  
GS  
(Note: Microdot may be in either location)  
ON CHARACTERISTICS  
*Date Code orientation and/or overbar may  
vary depending upon manufacturing location.  
Zero−Gate−Voltage Drain Current (Note  
1)  
I
8.0  
mAdc  
DSS  
(V = 15 Vdc)  
DS  
ORDERING INFORMATION  
Static Drain−Source On Resistance  
(V = 0.1 Vdc)  
DS  
r
−
−
60  
28  
W
DS(on)  
†
Device  
Package  
Shipping  
Drain Gate and Source Gate  
On−Capacitance  
C
pF  
dg(on)  
+
BSR58LT1  
SOT−23  
3000/Tape & Reel  
3000/Tape & Reel  
(V = V = 0, f = 1.0 MHz)  
C
C
DS  
GS  
sg(on)  
BSR58LT1G  
SOT−23  
(Pb−Free)  
Drain Gate Off−Capacitance  
(V = −10 Vdc, f = 1.0 MHz)  
GS  
−
−
5.0  
5.0  
pF  
pF  
dg(off)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
Source Gate Off−Capacitance  
(V = −10 Vdc, f = 1.0 MHz)  
GS  
C
sg(off)  
1. Pulse Width = 300 ms, Duty Cycle = 3.0%.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2005  
1
Publication Order Number:  
August, 2005 − Rev. 1  
BSR58LT1/D  
 
1234

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BSR58LT1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BSR58LT1G ONSEMI

完全替代

 JFET Chopper Transistor N−Channel − Depletion

与BSR58LT1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BSR58LT1/D ETC

获取价格

 		JFET Chopper Transistor
BSR58LT1G ONSEMI

获取价格

 		JFET Chopper Transistor N−Channel − Depletion
BSR58S62Z TI

获取价格

 		N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB
BSR58S62Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET
BSR58T/R ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 80MA I(DSS) | TO-236
BSR58-TAPE-13 NXP

获取价格

 		TRANSISTOR 40 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, FET General Purpose Small Signal
BSR58-TAPE-7 NXP

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 		TRANSISTOR 40 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, FET General Purpose Small Signal
BSR58TRL YAGEO

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 40V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET
BSR58TRL13 YAGEO

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 40V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET
BSR58TRL13 NXP

获取价格

 		5mA, 40V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET

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