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BSR57

更新时间: 2024-09-25 03:22:55
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体放大器小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 45K
描述
N-Channel Low-Frequency Low-Noise Amplifier

BSR57 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred零件包装代码:SOT-23
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:7.39
Is Samacsys:N配置:SINGLE
最大漏源导通电阻:40 ΩFET 技术:JUNCTION
最大反馈电容 (Crss):5 pFJESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
工作模式:DEPLETION MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):0.25 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

BSR57 数据手册

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BSR57  
N-Channel Low-Frequency Low-Noise  
3
Amplifier  
This device is designed for low-power chopper or switching application  
sourced from process 51  
2
SOT-23  
Mark: M5  
1
1. Drain 2. Source 3. Gate  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
40  
Units  
V
V
Drain-Gate Voltage  
Gate-Source Voltage  
Forward Gate Current  
V
V
DGO  
- 40  
GSO  
I
50  
mA  
mW  
°C  
GF  
P
Total Power Dissipation up to T  
Storage Temperature Range  
Junction Temperature  
=40°C  
250  
tot  
STG  
J
amb  
T
T
- 55 ~ 150  
150  
°C  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
V
BV  
Gate-Source Voltage  
V
V
V
V
V
V
V
V
= 0V, I = 1.0µA  
40  
GSS  
GSS  
DSS  
DS  
GS  
DS  
DS  
GS  
GS  
DS  
DD  
C
I
I
Gate Reverse Current  
Zero-Gate Voltage Drain Current  
Gate-Source Cut-off Voltage  
Drain-Source On Voltage  
Drain-Source On Reverse  
Reverse Transfer Capacitance  
Delay Time  
= 20V, V = 0V  
1.0  
100  
6.0  
0.5  
40  
nA  
mA  
V
DS  
= 15V, V = 0V  
20  
GS  
V
V
(off)  
(on)  
= 15V, I = 0.5nA  
2.0  
GS  
DS  
D
= 0V, I = 10mA  
V
D
r
(on)  
= 0V, I = 0  
ds  
D
C
= 0V, V = 10V  
5.0  
6.0  
4.0  
50  
pF  
ns  
ns  
ns  
rss  
GS  
t
t
t
= 10V, V (on) = 0V  
GS  
d
r
I
= 10mA, V (off) = 6.0V  
Rise Time  
D
GS  
Turn-off Time  
off  
©2003 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, February 2003  

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