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BSR15S62Z

更新时间: 2024-10-12 19:46:35
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 53K
描述
800mA, 40V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB

BSR15S62Z 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.71最大集电极电流 (IC):0.8 A
集电极-发射极最大电压:40 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):30JEDEC-95代码:TO-236AB
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:PNP认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):200 MHz
最大关闭时间(toff):100 ns最大开启时间(吨):45 ns
Base Number Matches:1

BSR15S62Z 数据手册

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