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BSP752R

更新时间： 2024-01-10 01:06:42
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 外围驱动器驱动程序和接口开关接口集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
17页 378K
描述
Smart Power High-Side-Switch

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BSP752R 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOIC
包装说明：SOP,针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.03
内置保护：TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL; UNDER VOLTAGE接口集成电路类型：BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER
JESD-30 代码：R-PDSO-G8长度：5 mm
功能数量：1端子数量：8
输出电流流向：SINK标称输出峰值电流：1.7 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.75 mm最大供电电压：52 V
最小供电电压：6 V标称供电电压：13.5 V
表面贴装：YES技术：MOS
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
断开时间：200 µs接通时间：180 µs
宽度：4 mmBase Number Matches：1

BSP752R 数据手册

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BSP 752 R  
disconnect with charged inductive  
Open-load detection  
V
load  
bb  
OFF-state diagnostic condition:  
V
> 3V typ.; IN=low  
OUT  
R
EXT  
V
V
high  
bb  
IN  
OFF  
OUT  
PROFET  
OUT  
ST  
GND  
Open load  
detection  
Logic  
unit  
R
O
V
bb  
Signal GND  
GND disconnect  
Inductive Load switch-off energy  
dissipation  
V
bb  
IN  
E
bb  
OUT  
PROFET  
E
AS  
ST  
E
E
Load  
L
GND  
V
bb  
IN  
V
V
V
V
bb  
IN  
ST  
GND  
OUT  
PROFET  
L
=
ST  
GND  
Z
L
{
GND disconnect with GND pull up  
E
R
R
L
V
bb  
IN  
2
Energy stored in load inductance: E = ½ * L * I  
L
While demagnetizing load inductance,  
the enérgy dissipated in PROFET is  
L
OUT  
PROFET  
ST  
E
= E + E - E = V * i (t) dt,  
bb ON(CL) L  
AS  
L
R
GND  
with an approximate solution for R > 0Ω:  
L
V
V
V
V
ST  
IN  
GND  
bb  
I
L
* L  
I
L
* R  
L
E
A S  
=
* (V bb +|V O U T ( C L )| ) * ln(1 +  
)
2 * R  
L
|V O U T ( C L )|  
2004-01-27  
Page 9  
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BSP752R 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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当前型号

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